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...时长不低于43200秒（17）脱脂热处理炉：温度不低于1100度，无须气氛保护（18）烧结热处理炉：温度不低于1650度，无需气氛保护详见第...
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...触退火、以及快速氧化/氮化后的快速热处理等工艺场合。可适用大范围类型的基片：硅和化合物半导体晶圆，GaN /蓝宝石和碳化硅晶圆，多晶硅晶圆，...
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