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| 项目名称 | (略) 工艺虚拟仿真系统 | 项目编号 | JLU-KC* |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2024-05-14 11:14:33 | 公示截止日期 | 2024-05-17 12:00:00 |
| 采购单位 | 吉林大学 | 付款方式 | 货到验收合格办理相关手续后100%付款。 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | 国内合同签订后30个工作日内 |
| 预算 | ￥ 480,000 | ||
| 发票要求 | 增值税发票（一般纳税人须开具增值税专用发票） | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 须上传生产厂家盖章的针对本项目的授权书和售后服务承诺书。 (必选) | ||
| 收货地址 | 吉林大学 | ||
采购清单1
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| (略) 工艺虚拟仿真系统 | 10 | 套 | 其他试验仪器及装置 |
| 品牌 | 常州奥 (略) | ||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | V1.0（ (略) 版） | ||
| 技术参数 | 技术参数： 1 (略) 1.1加密卡：加密算法AES 128位，受保护功能/应用程序的最大数目( ≥10点)。 1.2工作站：处理器 ≥i5 ；内存容量 ≥8G；硬盘 ≥1T；显存 ≥4G。 1. (略) 教学，要求同时进行10人以上教学。 2 半导体物理 2.1 PN结掺杂浓度仿真：首先根据指标（反向饱和电流等），选择基底材料（硅、锗、砷化镓），再根据内建电势设计要求，通过选择N区和P区掺杂浓度，自动计算内建电势和空间电荷区宽度，通过自动仿真，再设置掺杂浓度范围。 2.2 PN结偏置电压仿真：进行不加偏置电压、仿真外加正向偏压和外加反向偏压仿真，观察内建电势和空间电荷区宽的变化。 2.3 VI特性仿真：根据温度和PN正向电流，下拉选择正向压降（可计算）。观察温度对VI曲线的影响。 3 (略) 工艺设计 3.1 IC器件类型：LED、太阳能电池；NPN三极管、PNP三极管、NMOS三极管、PMOS三极管；HETM铝硼化镓功率器件；CMOS非门、NMOS触发器；MEMS可变电容。 3.2 芯片工艺流程设计和仿真：1） 工艺设计：首先观看各类工艺视频，再按视频运行顺序，下拉选择每个工序，并按工序顺序是否正确打分；2）工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构仿真，检査错误。 3.3 芯片工艺参数设计和仿真：1）参数设计： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC芯片结构参数(厚度等) 和关键工艺的工艺参数（主要包括：制膜、光刻、刻蚀、掺杂扩散、合金），掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。 2).结构仿真：通过NPN、CMOS、HETM、MEMS的结构仿真，判断关键工艺的工艺参数设置的正确性。 3.4 版图设计和仿真:1) 版图设计：根据版图设计规则，选择NPN三极管和CMOS非门的设计版图的关键结构几何尺寸。2) 版图仿真：根据尺寸进行结构仿真，直观检查设计的合理性和规范性。 4 (略) 芯片制造 4.1 晶圆制程： 1) 工艺流程：首先观看晶圆制造每个工序视频，再选择常用方法。 2) 设备：单晶炉、划片机、抛光机。 3) 参数设置：首先查看规则库，再按项目要求设置参数，并进行温度曲线所真。 4) 设备操作包括：上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。 5) VR虚拟车间：在VR虚拟场景中完成设备交互式操作。 4.2 芯片工艺方法 1) 工艺方法种类：通过观看各类工艺原理视频和文字，学坦化系统；清洗机；测试机。 4.4芯片设备参数设置 1) 参数设置：查看规则库，按项目要求设置设备关键参数。 2) 温度曲线仿真：各种炉子的温度曲线的仿真。 3) 厚度仿真：PECVD淀积厚度仿真。 4.5设备操作 1) 上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。 2) PECVD设备生产过程的模拟运行操作。 5 芯片制造VR工厂 5.1工厂种类：NPN三极管 5.2 VR工厂设备模型 1) 制膜车间：热氧化炉、液态源扩散炉、固态源扩散炉、离子注入掺杂机、外延炉、LPCVD和PECVD化学沉积机、电子束蒸发机、磁控溅射台、真空钨丝蒸发机等； 2) 光刻车间：涂胶机、光学曝光机、电子束曝光机、极紫外光刻机、前烘炉、显影机、后烘炉、湿法刻蚀机、等离子刻蚀机、反应离子刻蚀机、溶剂去胶机、等离子体去胶机； 3) 辅肋车间：烧结炉、化学机械抛光机、化学清洗机、等离子清洗机、测试机、切割机等。 5.3产品模拟生产 1) 工厂漫游：在不同器件的VR虚拟制造工厂的虚拟环境中，按照不同器件的工艺流程，漫游找到每个工序设备。 2) 设备交互操作：开机、上料、生产模拟运行、取料和关机等，完成一个产品生产约计200-860步骤。 3) 产品结构仿真：每台设备的进出料，根据工序不同而不同，制程半产品结构约有50-173个。 6 IC封装工艺设计 6.1封装类型：SOP小外形封装、 BGA球形阵列封装、WBLP引线键和式叠层封装、TSV硅通孔叠层封装、FC (WLCSP)晶圆级倒装片、SIP系统级封装。 6.2封装工艺流程设计 1) 工艺设计：通过观看各类器件封装工艺原理视频， (略) 的封装结构与工艺和设备规则，选择设计不同IC封装的工艺和设备； 2) 工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构的3D仿真，检査错误。 6.3封装工艺参数设计 1) 结构参数： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC封装结构参数(引脚数等) 。 2) 工艺参数：关键工艺的工艺参数，掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。 7 IC封装技术 7.1封装工艺方法 1) 封装方法种类：通过观看各类封装工艺原理视频和文字，学时单元实训%+虚拟工厂实训%。 10.3 教学资源 1) 理论教学：包括：碎片化教学资源、视频资源和使用说明书。 信息数据库：规则库（设置和操作标准）和信息MIS库（用户设置和操作答案） | ||
| 售后服务 | (略) 点:外地;电话支持:7x24小时;服务年限:三年;服务时限:报修后12小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; | ||
吉林大学
2024-05-14 11:14:33
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