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功率半导体技术的发展与全球能源的消耗紧密相关。在过去的几十年以及未来30年，我们面临的趋势是化石能源使用的逐渐减少，可再生能源应用的进一步增加。
可再生能源开发及节能减排都需要用到电力电子技术。不管是光伏、风电、新能源汽车，都需要对电能进行控制，而电能控制最核心的元件就是芯片，即供能芯片。人们常说的芯片种类很多，大致分成7类：计算、存储、传感、供能、通信、信息处理、光电。供能芯片的发展和同计算、存储芯片有着较大差别，因为计算和存储芯片依赖精细线宽，全球范围看，在这方面做得好的企业屈指可数。而供能芯片不需要精细线宽，它需要和应用紧密结合，在这方面，中国企业有优势， (略) 场需求在我们自己手里，而且离我们最近。
功率半导体芯片目前发展到第3代，即以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，它们具有导热率高、击穿电场高、介电常数低、禁带宽度高、饱和漂移速度高等一系列优势。以新能源汽车电机驱动器为例，采用宽禁带半导体芯片可以提高效率、节省冷却系统体积、提高功率密度，使电池效率提高10%，这是一个很大的比例。
宽禁带半导体产业链分为前中后端。前端是材料，包括晶锭生长、晶圆切割、外延生长；中端是器件，包括芯片研制、器件封测；后端是应用。目前，6英寸晶圆是国际上碳化硅的主流产品，近期开始研发和生产8英寸晶圆产品。按照现在的趋势，6英寸的保持主流状况至少还将有5～10年时间。
碳化硅电力电子器件主要包括二极管及MOSFET。碳化硅二极管器件产品方面， (略) 批量销售SiC肖特基二极管系列产品，产品技术发展到第五代，采用薄片、沟槽等先进技术，在不断提升性价比的同时，应用可靠性显著提升；碳化硅MOSFET器件产品方面，1700V以下中低压产品性能可靠性满足应用要求，产品发展到第三代，采用新型栅氧、沟槽结构等技术，比导通电阻RON,SP降低到第一代产品的1/3，阈值电压高温稳定性显著提升。当前，国际上碳化硅 (略) (略) 场98%的份额， (略) ，这正是我们要努力的方向。未来，宽禁带半导体产业的发展重点之一是碳化硅材料，尤其是衬底扮演的角色将越来越重要。目前，国内企业在芯片加工这个环节还不是很稳定，但未来5年之 (略) 在芯片加工工艺的稳定性和品质 (略) 场上立足。
责任编辑：诸玲珍
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