复旦大学2024年11月政府采购意向-半导体晶圆测试系统详细情况万元人民币

A* 半导体器件参数测量仪

该系统专为存储器、 (略) 和Flash芯片的超高速高精度同步电性能测试设计，能够实时进行芯片的高精度测试与数据分析。通过特定波形脉冲信号对制备好的存储器进行测试，系统将输出的电流信号转换为电压信号，并通过示波器实时监测与采集数据，确保测试结果的精确性和可靠性。指标要求：1.高分辨率源表模块：支持±100V的电压范围和±100mA的电流范围，适用于精密电气参数测试； 2.超快速脉冲与瞬态IV测量模块：提供峰峰值输出≥10V，适合高动态响应器件的测量；电容测试单元：频率范围覆盖1 kHz至5 MHz，电容测量精度≤±0.31%，满足高精度电容参数测量需求；3.矩阵开关： (略) 通道切换，测量分辨率≤10 fA，适用于复杂的多通道测试场景；4.高温测试能力：系统具备高达300°C的高温操作能力，适合在极端温度下进行半导体器件的电流、电压等关键参数测试；5.脉冲测试：能够生成高压脉冲信号，以评估半导体器件在高压条件下的响应；6.CV与IV测量切换：系统支持快速在电容（CV）和电流-电压（IV）测量模式间切换，无需重新连接设备，确保测试流程高效顺畅；7.数据分析与图形显示：系统具备数据分析与报告生成功能，配合图形化显示界面，提供全面的测试结果可视化；8.模块化设计：系统设计灵活，可根据不同的测试需求进行配置与扩展，适用于半导体材料及器件的全面表征与性能分析。