为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2023年11月至2023年12月采购意向公开如下:
序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
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1 | 刻蚀机(氮化镓材料) | 标的名称:刻蚀机(氮化镓材料) 标的数量:1 主要功能或目标:主要用于HEMT器件的工艺研究及加工制备。电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。 需满足的要求:可适配6/8寸晶圆;支持至少7路供气(H2/Ar/O2/SF6/Cl2/BCl3/SiCl4),配备供气管道及流量控制器;极限真空度:传片腔≤10Pa,晶片装载腔≤10Pa,刻蚀腔≤10-3Pa;真空漏率:传片腔≤10-3Pa?m3/sec,晶片装载腔≤10-3Pa?m3/sec,刻蚀腔≤5*10-5Pa?m3/sec,He漏率≤5.0*10-8Pa?m3/sec;刻蚀均一性(作5点测量法) | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 7,000,000.00 | 2023年12月 | |
2 | 刻蚀机(氮化镓材料) | 标的名称:刻蚀机(氮化镓材料) 标的数量:1 主要功能或目标:主要用于Micro-LED器件加工制备及工艺开发。电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率,从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。 需满足的要求:可适配4/8寸晶圆;支持至少7路供气(Ar/O2/SF6/N2/Cl2/BCl3/SiCl4),配备供气管道及流量控制器;极限真空度:传片腔≤10Pa,晶片装载腔≤10Pa,刻蚀腔≤10-3Pa;真空漏率:传片腔≤10-3Pa?m3/sec,晶片装载腔≤10-3Pa?m3/sec,刻蚀腔≤5*10-5Pa?m3/sec,He漏率≤5.0*10-8Pa?m3/sec,He漏率≤5.0*10-8Pa? | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 8,500,000.00 | 2023年12月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
广东中科半导体微纳制 (略)
2023年11月24日