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为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕10号）等有关规定，现将西 (略) (略) * 年3月至5月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 西 (略) 宽禁带半导体材料测试系统 | 西 (略) (略) 采购脉冲射频辉光放电光谱测试系统1套、紫外分光光度计及探测器测试系统1套、霍尔变温系统1套。主要用于测试宽禁带第三代半导体的材料属性，包括外延薄膜组分结构，薄膜的反射透视率，薄膜的消光特性和薄膜中载流子的高低温输运特性。 | *** | * 年03月 | |
| 2 | 西 (略) 高压中功率芯片测试与CP测试系统 | 西 (略) (略) 采购高压中功率芯片测试系统1套、CP测试系统1套、温控设备/上位机控制1套。主要用于半导体器件制造过程中的肖特基势垒、欧姆接触、金属互联方块电阻、钝化膜质量的电性能监控，及 (略) 快速电性能扫描及表示失效器件，保证了器件制造的稳定可控、失效问题可追踪。 | *** | * 年03月 | |
| 3 | 西 (略) 低频负载牵引系统 | 西 (略) (略) 采购低频负载牵引系统1套，主要用于测量出低频微波器件/功率芯片在不同源阻抗及负载阻抗下的各种工作参数，典型的被测件是功率晶体管、MMIC 及放大器。测量出在最大输出功率、最佳功率附加效率或最佳线性特性下的源端和负载端的最佳阻抗匹配参数，从而优化放大器的设计性能及提高设计效率。 | *** | * 年03月 | |
| 4 | 西 (略) 高温分子束外延系统 | 西 (略) (略) 采购高温分子束外延系统1套，利用超高真空和高温源的高精度精准控制技术，在原子或分子层次调控材料形貌及组分，生长高质量薄膜和晶体，通过与超高真空兼容的分析仪器设备联用，可以实现薄膜或晶体物理化学性质的准原位表征。 | *** | * 年03月 | |
| 5 | 西 (略) 金刚石CVD外延系统 | 西 (略) (略) 采购金刚石CVD外延炉2套，用于金刚石半导体材料外延生长，以气相外延的方式可实现半导体级单晶金刚石及多晶金刚石材料外延生长；制氢机1台，制氢机主要使用电解水原理制备高纯度氢气，可实现高效率、高纯度的氢气产生。 | *** | * 年03月 | |
| 6 | 西 (略) 自动涂胶显影与湿法刻蚀系统 | 西 (略) (略) 采购自动涂胶显影系统1套，可实现光刻胶的涂覆、前烘、显影、坚膜等工艺，用于配合光刻机实现光刻图形的转移；全自动湿法刻蚀系统1套，可实现半导体晶圆湿法酸、碱刻蚀等工艺，可通过机械手按设定程序自动完成刻蚀及清洗工艺。光学显微镜4台，用于监控工艺质量。 | *** | * 年03月 | |
| 7 | 西 (略) 接触式光刻机与激光直写系统 | 西 (略) (略) 采购接触式光刻机与激光直写系统1套，接触式光刻机与激光直写系统采用输出光谱和光强可调的激光光源，用于CD约为0.8um的碳化硅功率器件的图层光刻。其中，接触式光刻机采用传统掩膜版对准曝光方式；激光直写系统则采用无实体掩模版的在线图形编辑方式实现目标曝光。 | *** | * 年03月 | |
| 8 | 西 (略) 高精度套刻仪 | 西 (略) (略) 采购高精度套刻仪1套，主要应用于半导体分立器件或集成电路产品制造过程中有源区光刻、多晶栅光刻、接触孔光刻、金属光刻等光刻层次加工后，当前层与前一层图形的对位偏差的测量，高精度套刻仪与光刻机对准系统、对准修正软件一起协同工作来减小套刻误差。 | *** | * 年03月 | |
| 9 | 西 (略) (略) 络分析仪采购 | 西 (略) (略) (略) 络分析仪1台，用于在 (略) 扫描 (略) 络参量的综合性微波测量仪器，可直接测量有源或无源、可逆或不可逆的 (略) 络的复数散射参数，并以扫频方式给出各散射参数的幅度、相位频率特性。 | *** | * 年03月 | |
| 10 | 西 (略) 设备二次配系统EPC项目 | 西 (略) (略) 对多套半导体工艺设备（黄光设备、清洗设备、刻蚀机、氧化炉、CVD、溅射机、退火炉等） (略) 二次配系统工程的设计和安装；对多台设备（MOCVD、 (略) 理设备、烤盘炉和真空烘烤炉）的PCW冷却循环水系统工程的设计与安装，包括纯水系统、冷却循环水系统、配电系统、真空系统、压缩空气系统、热排系统、酸碱排系统以及有机排系统等 | *** | * 年03月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
芜湖 (略) * 年03月08日
京公网安备 11010802042560号